反應離子束刻蝕原理 離子束刻蝕和反應離子刻蝕

反應離子束刻蝕原理 離子束刻蝕和反應離子刻蝕

日期:2023-02-14 22:47:15    编辑:网络投稿    来源:网络资源

大家好,今天農農來為大家解答以上問題。離子束刻蝕技術,什么叫反應離子束刻蝕很多人還不知道,現在讓我們一起來看看吧!1、離子束刻蝕 離子束刻蝕以離子束為刻飾手段達到刻飾目的

大家好,今天農農來為大家解答以上問題。離子束刻蝕技術,什么叫反應離子束刻蝕很多人還不知道,現在讓我們一起來看看吧!

1、離子束刻蝕 離子束刻蝕以離子束為刻飾手段達到刻飾目的的技術,其分辨率限制于粒子進入基底以及離子能量耗盡過程的路徑范圍。

2、離子束最小直徑約10nm,離子束刻蝕的結構最小可能不會小于10nm。

3、目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達100nm以下,最少的達到10nm,獲得最小線寬12nm的加工結果。

4、相比電子與固體相互作用,離子在固體中的散射效應較小,并能以較快的直寫速度進行小于50nm的刻飾,故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。

5、此外聚焦離子束技術的另一優點是在計算機控制下的無掩膜注入,甚至無顯影刻蝕,直接制造各種納米器件結構。

6、但是,在離子束加工過程中,損傷問題比較突出,且離子束加工精度還不容易控制,控制精度也不夠高。

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